罗宏伟研究员级高工

2011.01-now,1990年、1995、2005年在西安电子科技大学微电子与固体电子学专业获得本科、硕士、博士学位

1995年4月起在信息产业部电子五所工作至今，一直从事电子元器件及集成电路的失效模式/失效机理分析、可靠性试验和评价、可靠性设计以及鉴定检测等方面的工作

先后获得省部级科技进步奖五项

石晓峰, 罗宏伟, 李斌, SHI Xiaofeng, LUO Hongwei, LI Bin    ESD应力下n阱扩散电阻的潜在损伤，电子元件与材料,2009, 28(9),  

吴建得, 罗宏伟, WU Jian-de, LUO Hong-wei    铜键合线的发展与面临的挑战，电子产品可靠性与环境试验,2008, 26(6),  

FLOTOX结构的EEPROM可靠性研究

发明专利   一种基于低能X射线的MCM/HIC电路总剂量辐照试验方法（ZL200810218930.9）   罗宏伟等   2010 .1

发明专利    CMOS电路的闩锁测试方法（ZL200410051149.9）   罗宏伟   2008 .1

承担了十余项国家重大专项、重点实验室基金、基础科研项目    电子元器件可靠性   罗宏伟   2011 .1